太陽光発電、電気自動車等の高効率なインバータに使用されるIGBTやSiCデバイスの耐電圧特性の 測定を行います。最大5，000V/5mAまでのV-I測定が可能です。
リーク電流の測定分解能は、0.01pAです。

最大5，000Vの高電圧を、IGBTやSiCデバイスに印加した状態で、リーク電流を監視しながら長期の 耐電圧試験を行います。指定のリーク電流値をオーバした時、試験を自動的に中断します。
同時に温度の測定を行うこともできます。